CEM4808 时间：2025/7/26 11:39:16 阅读：6

CEM4808是一款高性能、低功耗的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列芯片，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关以及工业自动化控制等领域。该器件通常包含多个N沟道MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，具备高集成度和出色的热稳定性。CEM4808的设计目标是提供高效的功率切换能力，同时减少外围电路的复杂性，适用于各种中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET阵列
　　漏源电压(VDS)：40V
　　漏极电流(ID)：8A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为18mΩ（每个FET）
　　栅极电压(VGS)：±20V
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：TSSOP或QFN
　　功率耗散(PD)：2.5W（典型值）
　　输入逻辑电平：兼容3.3V和5V控制信号

特性

CEM4808具有多个关键特性，使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。首先，其高集成度设计集成了多个MOSFET，减少了PCB空间占用并降低了设计复杂度。其次，低导通电阻确保了高效的能量传输，降低了功率损耗和发热。此外，该器件具备良好的热管理和过温保护能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　CEM4808还具有快速开关特性，支持高频操作，适用于PWM（脉宽调制）控制等应用。其栅极驱动电路设计优化，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具有较高的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定运行。
　　在保护功能方面，CEM4808通常集成有过流保护、欠压锁定和静电放电（ESD）保护等功能，进一步增强了系统的可靠性和安全性。这些特性使其成为工业控制、智能家电、电动工具、LED照明驱动等领域的理想选择。