时间：2025/12/28 12:00:04
阅读：10
CED05P03是一款由华润微电子推出的高压半桥驱动芯片，主要用于驱动功率MOSFET或IGBT等功率器件，在开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子系统中广泛应用。该芯片集成了高端和低端两个通道的驱动能力，能够实现对半桥拓扑结构中上下两个开关管的有效控制。其设计注重高集成度、高可靠性和良好的抗干扰能力，适用于需要高效率和紧凑设计的工业与消费类应用。CED05P03采用自举供电方式为高端侧提供浮动电源，支持高达500V甚至更高的母线电压，具备较宽的工作电压范围和较强的环境适应性。此外，该芯片内置了多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）、逻辑互锁、死区时间控制等，有效防止因误操作或外部异常导致的直通现象，从而提升系统的安全性和稳定性。
类型：高压半桥驱动器
通道数：双通道（高边/低边）
最大耐压：600V
输入逻辑电平兼容：TTL/CMOS
工作电压范围（VDD）：10V ~ 20V
高端侧浮动电压范围（VS）：-5V 至 VBS（最高600V）
输出电流能力（拉电流/灌电流）：250mA / 500mA
传播延迟时间：典型值200ns
死区时间：典型值300ns
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：DIP8 或 SOP8
输入反向极性保护：不支持
隔离电压（封装）：≥1500VAC（典型）
CED05P03具备优异的高压隔离与驱动能力，其高边驱动采用自举技术，能够在高端浮地条件下稳定工作，适应于DC-AC逆变、电机控制和感应加热等多种应用场景。芯片内部集成了电平移位电路，可将低压侧控制信号准确传递至高压侧驱动输出，确保高低边信号同步且无干扰。其输入端支持TTL和CMOS逻辑电平，便于与各种MCU、DSP或PWM控制器直接对接，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。
为了提高系统可靠性，CED05P03内置了完善的欠压锁定（UVLO）功能，当VDD电压低于设定阈值时，芯片自动关闭输出，防止在电源不稳定时产生误动作。同时，高低边输出之间具有互锁逻辑，即使输入信号出现重叠也不会造成上下管同时导通，避免了桥臂直通风险。此外，芯片还设计有内部死区时间控制机制，在高频切换过程中自动插入适当的延迟时间，进一步增强系统的安全性。
该器件具有较强的抗dV/dt干扰能力，在高噪声环境下仍能保持稳定的驱动性能。输出级采用图腾柱结构，具备快速充放电能力，可高效驱动栅极电容较大的功率MOSFET或IGBT，降低开关损耗，提升整体能效。热关断保护功能可在芯片温度过高时自动切断输出，防止因过热损坏。整体而言，CED05P03以其高集成度、高可靠性和良好的驱动性能，成为中小功率电力电子系统中的理想选择。
广泛应用于各类开关电源、DC-AC逆变器、无刷直流电机（BLDC）驱动、感应加热设备、UPS不间断电源以及光伏逆变系统等场合。特别适合用于需要高压半桥驱动架构的中低功率应用，例如电动工具、家用电器变频控制、LED恒流驱动电源、充电桩辅助电源模块等。由于其良好的抗干扰能力和稳定的驱动特性，也适用于工业自动化控制系统中的功率模块驱动场景。
IR2103S, FAN73896, UCC27324, BM61S41FV
