时间：2025/4/2 9:49:20
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GA0603H821JXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该型号属于沟道增强型 MOSFET，其设计旨在满足高效率和高可靠性的应用需求，同时提供出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：70nC
开关时间：开启时间 12ns，关断时间 18ns
结温范围：-55°C 至 175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的工业及汽车级应用。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中作为功率开关。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的功率管理单元。
GA0603H821JXAAC31G, IRFZ44N, FDP17N60C
