时间：2025/7/11 21:33:53
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CEB12P10是一款双列直插式封装的高压MOSFET晶体管，主要应用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适合需要高效能功率转换的应用场景。
该型号是东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET系列的一部分，其设计目标是为了在高频工作条件下提供出色的性能表现。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：10A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：3.5Ω
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CEB12P10采用N沟道增强型MOSFET结构，具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达1200V的漏源电压，适用于高电压环境下的电路设计。
2. 具有较低的导通电阻，能够减少功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关特性，使其非常适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能输出。
5. 封装形式为TO-247，便于散热并支持大电流运行。
CEB12P10广泛用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 太阳能逆变器及UPS不间断电源中的功率转换模块。
3. 工业电机驱动与控制电路。
4. 各种类型的高频功率放大器。
5. 电动汽车充电桩及其他新能源相关设备。
CEB12P10H, IRFP460, STW85N120K5
