类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：N沟道LDMOSFET
　　工作电压（Vds）：28V
　　输出功率（Pout）：80W
　　频率范围：典型工作频率为900MHz至1GHz
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：约60%（典型值）
　　封装类型：符合工业标准的HRTFQ / PQFN封装
　　热阻（Rth）：约0.5°C/W（结到外壳）
　　最大工作温度：200°C

MRF280SR1具有多项显著的技术特性，使其在射频功率放大器领域表现出色。首先，该器件采用了先进的LDMOS技术，使得它在高频下具有良好的性能，适用于900MHz至1GHz的频段，广泛用于移动通信、蜂窝网络基站和无线基础设施。其高增益特性（约20dB）有助于减少前级放大器的复杂度，提高系统整体效率。
　　其次，MRF280SR1在28V的电源电压下可提供高达80W的输出功率，同时具备较高的效率（约60%），这对于需要高功率输出且注重能效的应用至关重要。高效能设计有助于降低系统散热需求，从而简化热管理方案，减少整体系统成本。
　　此外，MRF280SR1具有优异的线性度和稳定性，适合多载波通信系统（如CDMA、WCDMA、LTE等）中的线性放大需求。这有助于减少信号失真，提高通信质量。其封装形式符合工业标准，便于集成到现有的射频系统中，同时也支持表面贴装工艺，简化了制造流程。
　　最后，该晶体管具有良好的热稳定性，热阻约为0.5°C/W，最大工作温度可达200°C，确保在高功率密度和高温环境下仍能稳定运行。

MRF280SR1广泛应用于各种射频功率放大器设计中，特别是在无线通信基础设施领域。例如，它常用于蜂窝基站的射频发射模块中，支持2G、3G、4G LTE等移动通信标准，能够提供高线性度和高效能的信号放大能力。此外，该晶体管也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备、无线本地环路系统以及广播发射机中的射频放大器模块。
　　在测试设备和测量仪器中，MRF280SR1也常用于构建高功率射频信号源或放大器模块，以满足实验室和现场测试的需求。其优异的性能和稳定性也使其成为航空航天和军事通信系统中的理想选择，适用于要求高可靠性和高稳定性的应用场景。
　　由于其良好的线性度和高效能，MRF280SR1也适用于数字预失真（DPD）系统中的主放大器，帮助实现更高的频谱效率和更低的互调失真。

MRF180HR1N, MRF281S, MRF281SR1