时间：2025/9/14 6:47:08
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PBSS301PX,115 是一款由 NXP（恩智浦）推出的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench MOS 技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛用于需要高效率和低功耗的电源管理系统，例如电池供电设备、负载开关和 DC-DC 转换器等应用中。其封装形式为 SOT223，具有良好的散热性能，适合中等功率的应用场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@VGS = -10V）
栅极电荷（QG）：11nC（@VGS = -10V）
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT223
PBSS301PX,115 采用先进的 Trench MOS 工艺技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。
其栅极电荷（QG）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该器件的封装形式为 SOT223，具备良好的热管理能力，能够在中等功率负载下保持稳定的工作温度，确保长期运行的可靠性。
此外，PBSS301PX,115 具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了其在复杂电源环境下的稳定性和耐用性，降低了因电压波动导致损坏的风险。
由于其卓越的电气性能和紧凑的封装尺寸，PBSS301PX,115 非常适合用于空间受限但要求高性能的电子设备中，如便携式电子产品、工业控制系统和汽车电子模块。
PBSS301PX,115 广泛应用于各类电子设备中的电源管理电路，如电池供电系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电源管理系统（PSU）等场景。
在消费类电子产品中，它可用于便携设备的电源开关和节能控制，提升能效并延长电池寿命。
在工业控制系统中，该器件可用于驱动继电器、传感器和执行器等负载，实现高效、稳定的电源管理。
此外，PBSS301PX,115 也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统，以满足汽车电子对高可靠性和耐久性的严格要求。
其优异的热性能和紧凑的封装设计，也使其成为空间受限但需要高效能的嵌入式系统和模块化电源设计的理想选择。
Si4435DY, IRF9Z24N, FDC640P
