时间：2025/4/28 16:16:48
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CE6200B13M是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于功率转换、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。其设计采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
CE6200B13M的工作电压范围较宽，适用于多种电源应用环境，并具备良好的热稳定性和耐用性。此外，该器件还支持快速开关操作，从而减少开关损耗。
型号：CE6200B13M
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.3mΩ
Id（连续漏极电流）：200A
Qg（栅极电荷）：45nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：2.5V~4.5V
封装形式：TO-247
CE6200B13M具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，使其在大电流应用中表现出色，同时降低了功率损耗。
2. 高额定电流能力，可支持高达200A的连续漏极电流，满足高功率需求。
3. 快速开关性能，减少了开关过程中的能量损失。
4. 较低的栅极电荷Qg，有助于提高电路的效率。
5. 宽工作电压范围，适合多种电源管理和功率转换应用。
6. 热稳定性好，能够在高温环境下可靠运行。
7. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
6. 高效功率转换模块以及不间断电源系统（UPS）。
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