时间：2025/12/27 18:42:05
阅读：11
CE201210-2N2D是一款由顺络电子（Sunlord）生产的片式电感器（Chip Inductor），属于功率电感系列，广泛应用于各类便携式电子产品、通信设备及消费类电子产品的电源管理电路中。该器件采用表面贴装技术（SMT）设计，封装尺寸为2012（即2.0mm x 1.2mm），符合行业标准的EIA尺寸规范，便于自动化贴片生产。型号中的“2N2”表示其标称电感值为2.2nH，“D”通常代表其精度等级为±0.3nH。该电感主要面向高频应用场景，具备低直流电阻（DCR）、高自谐振频率（SRF）以及良好的温度稳定性等特点，适合用于射频（RF）匹配网络、高频滤波电路、LC振荡回路以及高速数字信号路径中的噪声抑制等场合。作为一款高频小感值电感，CE201210-2N2D在5G通信模块、Wi-Fi模组、蓝牙设备和智能手机射频前端中具有重要应用价值。
产品类型：功率电感器
封装尺寸：2012（2.0×1.2mm）
电感值：2.2nH
电感公差：±0.3nH
直流电阻（DCR）：典型值约0.18Ω
饱和电流（Isat）：约1.3A（以电感下降30%为基准）
温升电流（Irms）：约1.5A（温度上升40℃）
自谐振频率（SRF）：最低约6.5GHz，典型值可达8GHz以上
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
焊接方式：回流焊（适用于无铅工艺）
磁芯材料：多层陶瓷与金属复合材料
屏蔽类型：非屏蔽（开放式磁路结构）
CE201210-2N2D电感器采用先进的多层陶瓷与金属复合材料烧结工艺制造，具备优异的高频性能表现。其核心优势在于极低的寄生电容和超高的自谐振频率（SRF），使得该器件能够在GHz级别的射频电路中保持稳定的电感特性，避免因接近或超过SRF而导致的感性失效问题。该电感的电感值仅为2.2nH，适用于需要精确阻抗匹配的高频场景，如5G射频前端模块中的天线调谐、功率放大器输出匹配网络以及接收链路的滤波电路。由于其微小的封装尺寸和轻量化设计，能够满足现代移动终端对小型化和高集成度的严苛要求。
该器件具有较低的直流电阻（DCR），有助于减少功率损耗，提升整体能效，同时支持较高的饱和电流和温升电流，保证在瞬态负载变化下仍能稳定工作。其±0.3nH的高精度公差确保了批次间的一致性和电路性能的可重复性，特别适合自动化大规模生产环境。此外，CE201210-2N2D具备良好的温度稳定性，在-55℃至+125℃的工作温度范围内，电感值漂移极小，能够在极端环境下维持可靠性能。产品符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色制造需求。其非屏蔽结构虽然在EMI抑制方面略逊于屏蔽型电感，但在空间受限且干扰较小的应用中更具成本与体积优势。
CE201210-2N2D主要用于高频模拟与射频电路设计，典型应用场景包括5G智能手机中的射频前端模块（FEM），用于功率放大器（PA）与天线之间的阻抗匹配网络，以最大化信号传输效率并减少反射损耗。在Wi-Fi 6/6E和蓝牙5.x无线通信模组中，该电感可用于LC滤波器或谐振电路，实现特定频段的信号选择与噪声抑制。此外，在高速数字系统中，如处理器供电路径的去耦电路或时钟信号线的高频滤波，该器件也能有效抑制电磁干扰（EMI）并提升信号完整性。其高SRF特性使其成为UWB（超宽带）定位系统、毫米波雷达传感器以及物联网（IoT）设备中高频电路设计的理想选择。由于其小尺寸和高可靠性，也广泛应用于可穿戴设备、TWS耳机、平板电脑等便携式电子产品中，支持紧凑型PCB布局的同时保障射频性能的稳定性。
LQW15AN2N2D00D
MLG2012S2N2BT00
DLW21SN2N2SQ2
PLT2012Y-S-2N2J-T1
