频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　输出功率：100 W（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：65%（典型值）
　　工作电压：+28V
　　封装形式：螺栓式法兰封装
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

TGA4909 的核心优势在于其基于 GaN on SiC 技术的高性能表现，具备出色的热导性能和长期稳定性，能够在高功率密度下长时间运行。其宽带设计支持从 2.7 GHz 到 3.5 GHz 的宽频率范围操作，适合多频段或多用途系统设计。
　　该器件具有高达 65% 的漏极效率，显著降低了对散热系统的要求，同时提升了整体系统效率，特别适合电池供电或高能效要求的应用。TGA4909 的 18 dB 典型增益使其在多级放大架构中能够减少驱动级的复杂度，降低系统成本。
　　此外，TGA4909 的封装设计优化了射频连接和热管理。其螺栓式法兰封装确保了良好的接地和机械稳定性，同时支持高效的散热路径，适合高功率连续波（CW）或脉冲操作。器件还具备高耐久性和抗环境变化能力，适用于苛刻的军事和工业环境。

TGA4909 被广泛应用于现代射频通信系统，如 4G/5G 基站、宽带无线接入、微波回传和军事通信设备。它也是雷达系统、电子战（EW）设备和测试测量仪器中高性能功率放大器的理想选择。
　　在雷达应用中，TGA4909 可用于发射机的末级放大器，提供高线性输出以满足现代雷达对远距离探测和高分辨率的要求。在通信基础设施中，该器件支持高效的多载波放大，适用于高功率基站和中继器。此外，其在测试设备中的使用可确保信号源具备高稳定性和宽频带响应，满足多标准测试需求。

TGA4909-SM, TGF2951, TGA4514, CGH40120F