时间：2025/6/20 23:22:03
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CDSOT23-T05C 是一款基于紧凑型 SOT23 封装的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这种元器件广泛应用于低功率开关电路、负载开关以及便携式电子设备中。其小尺寸和高性能的特点使其成为需要节省空间设计的理想选择。CDSOT23-T05C 提供了较低的导通电阻，同时确保在高频应用中的高效表现。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：0.44A
导通电阻（Rds(on)）：1.5Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
功耗：270mW
封装类型：SOT-23
CDSOT23-T05C 的主要特点是具有较高的开关速度和较低的导通电阻，这有助于减少能量损耗并提升系统效率。
该元件支持快速开关操作，适用于高频电路环境。
SOT23 封装不仅体积小巧，而且散热性能良好，适合高密度 PCB 布局。
此外，CDSOT23-T05C 具备出色的 ESD（静电放电）保护能力，增强了其在恶劣环境下的可靠性。
这款 MOSFET 主要用于消费类电子产品和工业控制领域，包括但不限于以下场景：
1. 负载开关和电源管理模块。
2. 电池供电设备中的电源切换。
3. LED 驱动电路中的开关元件。
4. 信号传输路径上的高速开关。
5. 各种小型化手持设备中的电流控制组件。
CDSOT23-A05C, CDSOT23-T06C
