时间：2025/9/9 14:27:03
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CDRH127-270MC 是一款由 CEL（California Eastern Laboratories）生产的射频晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于射频功率放大器和无线通信系统中。该器件在高频条件下具有出色的性能，适合用于 UHF 和 L 波段的无线基础设施应用。
类型：MOSFET
晶体管类型：N 沟道增强型
封装类型：表面贴装
最大工作频率：2.7 GHz
最大漏极电流（ID）：1.2 A
最大漏源电压（VDS）：32 V
增益（Gps）：约 19 dB
输出功率：典型值 10 W
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
CDRH127-270MC 在射频应用中展现出卓越的性能。该器件的工作频率高达 2.7 GHz，适用于 UHF 和 L 波段的无线通信系统，如基站、中继器和射频测试设备。其高增益特性（约 19 dB）使其能够在放大器链中减少级联的级数，从而提高系统的整体效率。此外，CDRH127-270MC 的输出功率可达 10 W，适合中等功率的射频应用。该器件的封装采用表面贴装技术，有助于降低 PCB 面积并提高生产效率。CDRH127-270MC 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适应各种恶劣环境条件下的稳定运行。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间连续工作的通信设备使用。此外，其低失真特性确保了信号传输的高质量，适用于数字通信和模拟信号处理。
CDRH127-270MC 主要应用于无线通信基础设施，如 UHF 和 L 波段的射频功率放大器、基站中继器以及测试和测量设备。此外，它也可用于工业控制系统和射频模块设计。
CDRH127-270MC 可以用 CEDR127-270MC 或类似的射频 MOSFET 替代，如 RFPA127-270MC。
