时间：2025/8/5 18:31:50
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IXGH30N50AA是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压、高电流的应用场合。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于工业控制、电源转换、电机驱动、可再生能源系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.12Ω
功率耗散(Pd)：208W
IXGH30N50AA采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，从而降低了导通损耗并提高了效率。其高耐压能力使其适用于500V的电路设计。
该器件的封装形式为TO-247AC，具有良好的热管理和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用。此外，IXGH30N50AA还具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高系统整体效率。
在可靠性方面，IXGH30N50AA通过了严格的工业标准测试，具有优异的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，确保在严苛的工作环境下的稳定运行。
IXGH30N50AA广泛应用于多种高电压、高功率的电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。
在工业自动化领域，该器件常用于变频器和伺服驱动器中，提供高效的功率控制方案。此外，在新能源领域，IXGH30N50AA也被广泛应用于风能和太阳能发电系统的功率转换模块中，支持高效能源转换。
由于其高可靠性和优异的性能，IXGH30N50AA也适用于一些对安全性要求较高的应用，如医疗设备电源和交通运输领域的功率控制系统。
IXFH30N50P, IRFP460LC, FCP50N50, STP55N50U
