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AOD4126 发布时间 时间:2025/5/9 15:01:54 查看 阅读:5

AOD4126是一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的半导体工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源管理和功率转换应用。该器件能够在高频条件下高效工作,同时保持良好的热稳定性和可靠性。
  其封装形式通常为SOT-23,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.2A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:3nC
  总功耗:410mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AOD4126具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,支持高频应用,降低电磁干扰(EMI)问题。
  3. 小型SOT-23封装,节省PCB空间,便于设计紧凑型产品。
  4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

AOD4126适用于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压/升压转换。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 负载开关和电源管理模块。
  4. 电池保护电路。
  5. 便携式设备中的信号切换和驱动功能。
  6. 工业控制领域的小信号处理与功率传输。

替代型号

AO3402A
  FDMQ8207
  IRLML6402

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AOD4126参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SDMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 50V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1215-6