类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：64K位（8K x 8）
　　访问时间：10纳秒（ns）
　　电源电压：3.3V至5.5V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：28
　　功耗：典型值为100mA
　　数据保持电压：1.5V至5.5V
　　封装尺寸：8mm x 14mm
　　读取周期时间：10ns
　　写入周期时间：10ns
　　输入/输出电压电平：兼容TTL和CMOS

CXK5864BM-10LL-70是一款高性能的异步SRAM芯片，具备10ns的访问时间，能够满足高速数据处理的需求。其宽电压设计（3.3V至5.5V）使其能够兼容多种电源系统，适用于不同类型的电路设计。此外，该芯片在低功耗模式下仍能保持数据不丢失，适用于需要节能设计的应用场景。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，适合在高密度电路板上使用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。此外，该SRAM支持异步操作，不需要时钟信号即可进行读写操作，简化了电路设计并提高了灵活性。CXK5864BM-10LL-70在数据保持电压范围（1.5V至5.5V）内能够维持数据存储，确保在电源波动或低电压情况下数据不丢失，增强了系统的可靠性。

CXK5864BM-10LL-70广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的系统中，如嵌入式控制器、网络设备、工业自动化控制系统、测试仪器以及便携式电子产品。由于其宽电压和宽温度范围的特性，该芯片特别适合用于工业和通信领域中的高可靠性设备。

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