时间：2025/12/24 8:21:31
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CDR34BP432BKZMAT 是一款高性能的双极性晶体管（Bipolar Transistor），主要用于功率放大和开关应用。该型号采用先进的封装技术，确保在高温和高电流环境下依然保持稳定性能。其出色的增益特性和低饱和电压使其成为多种电子设备中的关键元件，广泛应用于消费类电子产品、工业控制及通信设备等领域。
该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）和较大的集电极电流容量（Ic），能够满足高功率需求场景的要求。此外，它还具备良好的热稳定性，适合长时间连续工作。
集电极-发射极击穿电压（Vceo）：80V
集电极电流（Ic）：15A
直流电流增益（hFE）：10 ~ 100
最大耗散功率（Ptot）：115W
结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（Tstg）：-65℃ ~ +150℃
封装类型：TO-264
CDR34BP432BKZMAT 拥有以下显著特性：
1. 高击穿电压与大电流能力，适合高功率应用。
2. 较低的饱和电压（Vce(sat)），减少功率损耗并提高效率。
3. 广泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的长期运行。
4. 稳定的直流电流增益，保证了信号放大的一致性。
5. 使用 TO-264 封装，提供优异的散热性能和机械强度。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
CDR34BP432BKZMAT 的典型应用场景包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 工业电机驱动电路中的功率放大器。
3. 通信设备中的射频功率放大器。
4. 音频功率放大器中的输出级晶体管。
5. 各种需要高电流承载能力的保护电路。
6. 大功率 LED 驱动电路中的开关或调节器件。
CDR34BP432BKZMAJ, CDR34BP432BKZMAP
