STF11NM60N 时间：2025/7/23 0:07:17 阅读：10

STF11NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效功率转换的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适合在高频率和高功率环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：11A（在Tc=100℃时）
　　功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　存储温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω
　　栅极电荷（Qg）：典型值34nC
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF

特性

STF11NM60N具备多个优良特性，首先其600V的漏源电压使其适用于高电压应用环境，能够承受较大的电压应力。该器件采用了先进的MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，其125W的额定功耗和优异的热管理能力使其在高温环境下仍能稳定运行。
　　STF11NM60N的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的能效。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于多种PCB布局设计。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了整体系统的可靠性。
　　该器件的工作温度范围为-55℃至150℃，适应广泛的工作环境，包括工业级和汽车电子应用。同时，其栅源电压范围为±20V，提供较大的驱动灵活性，兼容多种控制电路。

应用

STF11NM60N常用于多种功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器以及工业自动化控制系统。在汽车电子领域，它也可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统电源管理模块。

替代型号

STF11NM60ND STF11NM60N的D型封装版本，具有类似性能；STF12N60DM2是STMicroelectronics另一款性能相近的替代型号；IPW65R045CFD7S Infineon的CoolMOS系列，具有更高性能但可作为替代选项；FQP12N60C是Fairchild（已被ON Semiconductor收购）的产品，也可作为替代方案之一。