类型：晶体管阵列
　　晶体管类型：NPN
　　封装类型：16引脚 PDIP
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　输入-输出隔离电压：500V

MC10141PD 具备多个集成的NPN晶体管，能够在高速操作条件下提供稳定的性能。每个晶体管的增益带宽积高达100MHz，使其适合用于高频放大器和开关电路。此外，该器件具有较高的输入-输出隔离电压（500V），在工业应用中能够有效隔离高电压部分，提高系统的安全性。
　　芯片采用了16引脚PDIP封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于多种低功率应用。MC10141PD的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定运行，适合在恶劣环境中使用。
　　该器件的最大功耗为300mW，具备良好的热稳定性。晶体管之间的匹配性较好，可以用于需要多个晶体管协同工作的电路设计，如多路复用器、缓冲器和逻辑门电路等。此外，MC10141PD还具备较强的抗干扰能力，适用于高噪声环境中的信号处理和控制电路。

MC10141PD 主要应用于需要多个晶体管集成的电子系统中，如工业自动化控制系统、计算机外围设备、通信设备和测试仪器。它可被用于构建多路复用器、缓冲器、逻辑门电路以及高速开关电路。由于其良好的高频特性和较高的隔离电压，该器件在信号放大和隔离电路中表现出色，适用于各种低功率应用场景。

MC10141DG, MC10142PD, MC10143PD