时间：2025/7/4 19:04:04
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CDR34BP272BJZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于高效率、高频开关电源及电机驱动领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而提高了系统整体效率并降低了能量损耗。
该器件适用于多种工业和消费电子应用场景，例如适配器、充电器、LED 驱动器以及 DC-DC 转换器等。其封装设计使其具备优良的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
总功耗(Ptot)：280W
结温范围(Tj)：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
1. 低导通电阻 (Rds(on))，有效减少功率损耗。
2. 快速开关速度，支持高频应用。
3. 高击穿电压能力，适合高压环境下的使用。
4. 内置 ESD 保护电路，增强可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 提供优异的热性能，确保长期稳定运行。
7. 支持大电流输出，满足高功率需求。
8. 封装坚固耐用，适合表面贴装和自动化生产流程。
1. 开关电源(SMPS) 设计。
2. DC-DC 转换器模块。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 充电器和适配器。
5. LED 照明驱动电路。
6. 工业逆变器和变频器。
7. 太阳能微逆变器和储能系统。
8. 各种需要高压、高频切换的应用场景。
IRFZ44N
STP16NF06
FQP17N06
