时间：2025/6/17 7:58:09
阅读：5
CDR34BP272BJZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合于高频开关应用。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够在高电流和高压环境下稳定工作，同时提供优异的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
栅极电荷(Qg)：90nC
总电容(Ciss)：2300pF
功耗(PD)：210W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
CDR34BP272BJZMAT 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提升整体效率。
2. 高击穿电压 (Vds) 支持更广泛的高压应用场景。
3. 快速开关能力得益于较低的栅极电荷 (Qg)，适合高频设计。
4. 强大的热管理性能，允许在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。
6. 封装形式坚固耐用，能够承受恶劣的工作环境。
CDR34BP272BJZMAT 被广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. 电机控制与驱动电路中的功率级组件。
3. 不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器的核心器件。
4. 工业自动化设备中的功率转换模块。
5. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子系统。
6. 电动车和混合动力车的电池管理系统 (BMS)。
IRFP260N, STP18NM65K5, FQP18N65C, IXFN18N65T2
