时间：2025/6/28 19:04:24
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CDR33BX223BKZMAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。其出色的导通电阻和快速开关特性使其在高频应用中表现优异。此外，CDR33BX223BKZMAT采用先进的封装技术，能够有效提升散热性能并确保可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
额定电压：60V
额定电流：140A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（典型值）：98nC
输入电容：1700pF
漏源击穿电压：60V
最大功耗：225W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
CDR33BX223BKZMAT具有低导通电阻，可显著降低传导损耗，从而提高系统效率。
其快速开关特性能够减少开关损耗，并支持高频操作，非常适合用于现代高效能电源设计。
该器件具备强大的电流处理能力，适合大功率应用环境。
同时，它还具有出色的热稳定性和抗静电能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
另外，该芯片采用了优化的封装设计，增强了散热性能，进一步提升了产品的耐用性。
CDR33BX223BKZMAT广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备等领域。
在汽车电子领域，它可以用于电池管理系统（BMS）、车载充电器和其他高压电路。
此外，由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件也非常适合用作负载开关或保护电路中的关键元件。
CDR33BX220BKZMAT
IRFP2907
FDP16N60
