您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXTA08N100D2HV-TRL

IXTA08N100D2HV-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 18:16:05 查看 阅读:28

IXTA08N100D2HV-TRL是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能和高可靠性设计。这款MOSFET适用于需要高耐压和低导通电阻的应用,如电源转换器、电动车辆、工业自动化和高功率开关设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大漏极电流(ID):8A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为18mΩ
  封装类型:TO-220AB
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IXTA08N100D2HV-TRL的主要特性包括优异的热性能和低导通电阻,这使其在高负载条件下能够保持较低的功耗和温升。其高耐压特性使其适用于各种高电压应用,同时具备良好的抗过载和抗短路能力。该MOSFET还具有快速开关性能,能够减少开关损耗,提高整体系统的效率。此外,其TO-220AB封装设计有助于良好的散热和机械稳定性,适用于严苛的工作环境。

应用

IXTA08N100D2HV-TRL广泛应用于各种高功率电子设备,包括直流-直流转换器、电动车辆的电力管理系统、工业控制设备、电源供应器以及高功率开关电路。其高可靠性和优异的性能使其成为工业和汽车应用中的理想选择。

替代型号

IXTA08N100D2, IXTA08N100D3, IRF1405

IXTA08N100D2HV-TRL推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXTA08N100D2HV-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格800 : ¥18.56939卷带(TR)
  • 系列Depletion
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)800mA(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)21 欧姆 @ 400mA,0V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14.6 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)325 pF @ 25 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)60W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263HV
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB