IXTA08N100D2HV-TRL是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能和高可靠性设计。这款MOSFET适用于需要高耐压和低导通电阻的应用,如电源转换器、电动车辆、工业自动化和高功率开关设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):典型值为18mΩ
封装类型:TO-220AB
工作温度范围:-55°C至+175°C
IXTA08N100D2HV-TRL的主要特性包括优异的热性能和低导通电阻,这使其在高负载条件下能够保持较低的功耗和温升。其高耐压特性使其适用于各种高电压应用,同时具备良好的抗过载和抗短路能力。该MOSFET还具有快速开关性能,能够减少开关损耗,提高整体系统的效率。此外,其TO-220AB封装设计有助于良好的散热和机械稳定性,适用于严苛的工作环境。
IXTA08N100D2HV-TRL广泛应用于各种高功率电子设备,包括直流-直流转换器、电动车辆的电力管理系统、工业控制设备、电源供应器以及高功率开关电路。其高可靠性和优异的性能使其成为工业和汽车应用中的理想选择。
IXTA08N100D2, IXTA08N100D3, IRF1405