时间：2025/5/8 13:18:29
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CBG321609U260T是一款基于硅技术制造的高压MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及DC-DC转换器等电力电子应用。该器件采用了先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻和高效率的特点，能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。
这款芯片属于N沟道增强型功率MOSFET系列，能够承受较高的漏源电压，并支持快速的开关速度，从而减少能量损耗并提高系统的整体效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.26Ω
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
总功耗：280W
工作温度范围：-55℃至+175℃
CBG321609U260T具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达650V的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为0.26Ω，在大电流应用中减少了功率损耗。
3. 快速开关特性，其栅极电荷较低，有助于降低开关损耗，适合高频工作环境。
4. 优异的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行，从-55℃到+175℃均能保持性能。
5. 高效的散热设计，允许更大的功率输出，同时维持较低的工作温度。
6. 出色的鲁棒性，可以有效抵抗雪崩和过载情况下的损坏。
CBG321609U260T广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管，用于AC-DC和DC-DC转换电路中。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型电机的速度和方向。
3. 工业逆变器：实现高效能量转换，满足工业设备对稳定电源的需求。
4. 能量存储系统：用于电池充电管理及放电保护。
5. 光伏逆变器：将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
6. 电动车充电装置：提供快速高效的充电解决方案。
CBG321610U280T, FGH65R16KE, IRF640N
