时间：2025/6/23 11:16:20
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QMJ316BB7473MLHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效提升系统效率并降低能耗。
其封装形式和电气性能经过优化设计，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行，适用于需要高效功率转换和高可靠性的应用场景。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：50nC
开关速度：超快速
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 超低导通电阻设计，可显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高耐压能力，支持高达750V的工作电压，适合高压应用环境。
3. 快速开关特性，减少开关损耗并优化高频应用性能。
4. 强大的散热性能，确保在高电流负载下长期稳定运行。
5. 内置静电防护功能，增强芯片的抗干扰能力。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。
5. LED照明驱动电路中的高效功率管理单元。
6. 不间断电源(UPS)和其他需要高可靠性和高效能的应用场景。
IRFP460, FQP16N75, STP16NM75
