CDR33BX223BKUS7185是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率并降低能耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式为表面贴装类型(SMD),适合自动化生产需求。此外,CDR33BX223BKUS7185还具备出色的热性能,可有效应对高功率密度应用中的散热问题。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:65nC
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻,确保了高效率的能量传输。
2. 快速的开关速度,有助于减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,满足多种功率应用的需求。
4. 良好的热稳定性和耐用性,适应恶劣的工作环境。
5. 小尺寸封装设计,节省PCB空间,便于集成到紧凑型产品中。
广泛用于消费电子、工业设备及汽车电子领域中的各类功率管理模块,如:
- 开关模式电源(SMPS)
- 电池管理系统(BMS)
- 电动工具的无刷直流电机驱动
- 太阳能逆变器
- LED驱动电路
- 各类负载切换开关
IRFZ44N
FDP5800
STP55NF06L