型号：RF15N2R4C500CT
　　技术类型：硅基LDMOS
　　最大输出功率：150 W（CW）
　　工作频率范围：2.3 GHz ~ 2.7 GHz
　　漏极电压（Vds）：50 V
　　跨导典型值（Gm）：800 mS
　　增益典型值（小信号增益）：22 dB @ 2.6 GHz
　　输入驻波比（VSWR_in）：< 2.5:1
　　输出驻波比（VSWR_out）：< 2.0:1
　　热阻结至外壳（Rth-jc）：0.35 °C/W
　　封装类型：陶瓷金属密封包封（Flanged Package）
　　引脚数量：4 引脚（包括源极连接法兰）
　　存储温度范围：-65 °C ~ +150 °C
　　工作结温范围：-40 °C ~ +200 °C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：+2.8 V ~ +3.6 V

RF15N2R4C500CT具备卓越的射频性能和热稳定性，是现代宽带无线通信系统中理想的高功率放大器件之一。其基于硅LDMOS工艺的设计在保持低成本的同时，实现了接近GaAs器件的高频响应能力，同时在功率密度和击穿电压方面更具优势。该晶体管在2.3–2.7 GHz频段内表现出优异的线性度和高增益特性，尤其适合用于多载波功率放大器（MCPA）架构中，能够有效支持复杂的调制方式如OFDM、QAM等，满足4G/5G基站对高数据吞吐量和低误码率的要求。
　　器件内部采用了优化的单元阵列布局与均匀电流分布设计，显著降低了热点形成的风险，提高了长期运行的可靠性。此外，其低寄生电感和电容的封装结构有助于减少高频下的信号损耗和相位失真，从而提升整体放大效率。RF15N2R4C500CT还具备较强的抗负载失配能力，在输出端口VSWR高达10:1的情况下仍能安全运行而不发生损坏，这得益于其内置的过流保护机制与稳健的栅极驱动设计。
　　另一个关键特性是其高效的热传导路径：通过底部金属法兰直接连接到外部散热器，热阻低至0.35°C/W，使得即使在满负荷连续工作状态下也能维持较低的结温，避免因过热导致的性能下降或器件老化。这一特点使其非常适合部署于密闭或通风受限的基站设备中。此外，该器件对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，简化了生产装配过程中的防护措施。总体而言，RF15N2R4C500CT结合了高功率输出、宽频带响应、良好线性度与高可靠性的多重优势，是高端射频功率放大应用的理想选择。

RF15N2R4C500CT广泛应用于各类高功率射频系统中，尤其是在需要高线性度和高效率的通信基础设施领域表现突出。其主要应用场景包括第四代（4G LTE）和第五代（5G NR）蜂窝网络基站中的主功率放大器模块，支持频段覆盖2.3–2.7 GHz范围内的多个运营商频谱，例如Band 30、Band 40、Band 41等。在这些系统中，它被用于构建Doherty放大器拓扑结构，以实现回退效率优化，满足现代移动通信对能效和信号质量的双重需求。
　　此外，该器件也适用于公共陆地移动网络（PLMN）、微波点对点通信链路、专用无线网络（如TETRA、PDT）以及军事通信系统中的高功率发射前端。在非通信类应用方面，RF15N2R4C500CT可用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体生成、介质干燥系统等，其中需要稳定且可控的大功率射频能量输出。广播领域中，它也可作为UHF电视发射机或数字音频广播（DAB）系统的末级功放使用。
　　由于其良好的宽带匹配能力和稳定的增益响应，该晶体管常被集成于多频段多模式射频平台中，支持动态带宽调整和软件定义无线电（SDR）架构。在测试与测量仪器中，如信号发生器或EMC抗扰度测试设备，RF15N2R4C500CT也被用作高功率激励源。总之，该器件凭借其宽频率适应性、高输出能力和环境鲁棒性，已成为多种高端射频系统的核心元件。

MRFX15H5SR1E
　　MHS1520L
　　PD55003E