时间：2025/7/16 12:24:11
阅读：6
HVM12是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压应用设计。它具有出色的开关性能和低导通电阻，适用于多种功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺，在保持高可靠性和稳定性的同时，能够承受较高的漏源电压。HVM12广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能量转换的电子设备中。
HVM12的特点在于其高压处理能力，同时提供较低的导通损耗和快速的开关速度，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具备良好的热性能，确保在恶劣的工作条件下依然可以稳定运行。
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω
栅极电荷(Qg)：75nC
输入电容(Ciss)：1200pF
开关频率：高达100kHz
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高额定漏源电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，减少导通损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适用于各种极端条件。
5. 小型封装选项，便于紧凑型设计。
6. 符合RoHS标准，环保无害。
HVM12主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路，特别是需要高电压驱动的应用。
3. 逆变器和不间断电源(UPS)中的功率开关元件。
4. LED照明系统的恒流控制。
5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 其他需要高效能功率转换的场景。
HVM12N65,
HVM12P65,
IRF840,
STP12NM65
