时间：2025/12/24 8:21:01
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CDR33BX153BMZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少功耗。其封装形式为TO-263（D2PAK），适用于高电流密度的设计需求。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET，支持高频开关操作，并具备出色的热性能和电气稳定性，非常适合要求高效能和可靠性的工业及消费类电子设备。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：80nC
输入电容：2700pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
存储温度范围：-65℃至+175℃
1. 极低的导通电阻RON，可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了系统的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
5. 良好的热稳定性和可靠性，适应恶劣的工作条件。
6. 提供过温保护和短路耐受能力，确保系统安全运行。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的大电流开关组件。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRF3710, CSD19536Q5A, STP36NF06L
