时间：2025/9/2 1:07:28
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H9HCNNNCPMALHR-NEE 是由SK hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）产品线。该芯片专为高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器和网络设备等需要极高数据吞吐量的应用而设计。H9HCNNNCPMALHR-NEE 采用堆叠式封装技术，提供多层DRAM芯片通过TSV（Through Silicon Via，硅通孔）互连，实现极高的内存带宽。
容量：2GB
内存类型：DRAM（HBM2）
数据速率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装类型：FC-BGA
接口：HBM2接口
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9HCNNNCPMALHR-NEE 的一大核心优势在于其卓越的带宽性能，它通过3D堆叠技术将多个DRAM芯片垂直连接，大幅缩短数据传输路径，从而实现比传统GDDR或DDR内存高得多的带宽。此外，该芯片采用TSV（Through Silicon Via）技术，使各层DRAM芯片之间的信号传输更加高效、稳定。这种结构不仅提高了传输速度，还降低了功耗和占用空间，非常适合高密度计算设备。该芯片还支持ECC（Error Correction Code）功能，有助于提高系统的稳定性和可靠性，尤其适用于数据中心、AI训练和科学计算等关键任务环境。
另一个显著特性是其节能设计。H9HCNNNCPMALHR-NEE 在高速运行的同时保持较低的功耗水平，这得益于其1.3V的低电压设计和先进的制造工艺。在高性能计算系统中，多个HBM2内存模块可以并行工作，提供高达数百GB/s的数据带宽，从而显著提升GPU或AI加速器的性能。此外，该芯片具有良好的热管理和电气兼容性，能够在高温和复杂电磁环境中保持稳定运行。
H9HCNNNCPMALHR-NEE 主要用于高端GPU（如NVIDIA和AMD的AI和图形加速卡）、AI训练和推理设备、高性能计算系统、网络交换设备、图形渲染服务器以及需要大量内存带宽的专业级计算平台。该芯片的高带宽特性使其特别适用于深度学习、大规模并行计算、实时数据分析和4K/8K图形渲染等应用场景。
H9HCTNNUAMUMUR-NEE, H9HB4NHUMUMUBA, H9HSN38AUMUDLA
