时间：2025/6/26 0:00:24
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HMK107B7473KAHT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：56A
导通电阻：2.9mΩ
总功耗：170W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
HMK107B7473KAHT 具有卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻特性使得在高电流应用场景下能够显著减少功率损耗，从而提高整体能效。
此外，该器件具备快速开关速度，适合高频开关应用，同时支持宽范围的工作温度，适用于工业及汽车环境中的严苛条件。
由于采用了先进的制造工艺，该 MOSFET 在热稳定性、抗静电能力和长期可靠性方面表现出色，非常适合需要高稳定性和高效率的电子系统设计。
HMK107B7473KAHT 广泛应用于各类电源转换设备中，如 DC-DC 转换器、逆变器和 UPS 系统等。
此外，它还被用于电动工具、家用电器以及电动汽车相关的电机驱动控制电路。
在工业自动化领域，这款 MOSFET 可用作高效开关元件，为复杂控制系统提供可靠的功率传输解决方案。
HMK107B7473KAHE, HMK107B7473KAHF, IRF7845
