时间：2025/6/19 0:57:59
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CDR31BX822AMZRAT是一款高性能的功率MOSFET器件，适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供优异的电气性能和可靠性。其主要用途是在电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要快速开关和高电流承载能力的电子系统中。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：40A
最大脉冲漏极电流(Ip)：100A
Rds(on)(最大值，在Vgs=10V时)：5.5mΩ
栅极电荷(Qg)：95nC
输入电容(Ciss)：2760pF
反向传输电容(Crss)：250pF
输出电容(Coss)：110pF
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
CDR31BX822AMZRAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下依然具备可靠的性能。
3. 快速开关速度，支持高频应用需求。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能表现。
5. 小型化的封装设计，节省PCB空间，同时优化散热效果。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场准入要求。
这些特性使得CDR31BX822AMZRAT成为多种工业和消费类电子产品的理想选择。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，具体包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能模块。
4. 大功率LED驱动器中的电流控制元件。
5. UPS不间断电源和其他备用电源系统的功率转换部分。
凭借其卓越的性能和广泛的适应性，CDR31BX822AMZRAT几乎可以覆盖所有需要高效功率转换和控制的应用场景。
CDR31BX822AMZRAH, IRF840, FDP55N06L
