时间：2025/9/20 16:53:13
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SGF25-TR-E是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有优异的导通电阻和栅极电荷特性，适用于高效率电源转换应用。该器件封装在PowerPAK SO-8L封装中，具备良好的热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计需求。SGF25-TR-E广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等场合。其低RDS(on)特性有助于降低传导损耗，提高系统整体能效。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品设计。器件在制造过程中经过严格测试，确保可靠性和长期稳定性，适合工业级温度范围内的运行。
SGF25-TR-E属于Vishay TrenchFET系列中的一员，该系列以高性能和小封装著称，特别适合用于便携式设备和高密度PCB布局。其栅源电压（VGS）额定值为±12V，确保在常见驱动电路下安全工作。由于采用了先进的硅工艺，该器件在保持高性能的同时，也优化了开关速度与电磁干扰之间的平衡，使其在高频开关应用中表现良好。
型号：SGF25-TR-E
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：25V
连续漏极电流（ID）@25°C：25A
脉冲漏极电流（IDM）：100A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：10mΩ
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：13mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：0.8V ~ 1.5V
栅极电荷（Qg）@4.5V：9nC
输入电容（Ciss）：870pF
反向恢复时间（trr）：未指定体二极管快速恢复
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/包装：PowerPAK SO-8L
SGF25-TR-E采用Vishay先进的TrenchFET沟槽技术，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了极低的RDS(on)值，在4.5V VGS下仅为10mΩ，这使得器件在大电流应用中能够有效减少功率损耗，提升系统效率。该器件的低栅极电荷（Qg = 9nC）进一步优化了开关性能，降低了驱动损耗，使其非常适合高频开关电源设计，如同步降压转换器或电池供电系统中的负载开关。此外，其低输入电容（Ciss = 870pF）有助于减小驱动电路的负担，加快开关速度，同时也有助于降低EMI干扰风险。
该MOSFET具备出色的热性能，得益于PowerPAK SO-8L封装的设计，其底部带有暴露焊盘，可有效将热量传导至PCB，增强散热能力。这种封装形式不仅节省空间，还提高了功率密度，适用于紧凑型电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及便携式工业设备。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，满足工业级和消费类应用的可靠性要求。
SGF25-TR-E的栅极阈值电压较低（0.8V~1.5V），支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V微控制器IO口或专用驱动IC控制，简化了驱动电路设计。同时，其体二极管具备一定的反向恢复能力，虽不推荐用于硬开关续流场景，但在轻载或软切换条件下仍可提供基本的续流路径。所有参数均在严格的质量控制流程下进行测试，确保批次一致性与长期可靠性。
SGF25-TR-E常用于需要高效、小尺寸功率开关的场合，典型应用包括同步整流式DC-DC降压变换器，其中作为下管或上管使用，实现高效率电压转换；也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、电机驱动电路中的H桥开关元件、热插拔控制器中的负载开关以及各类电源管理模块中的功率通断控制。由于其低导通电阻和小封装特性，特别适合便携式电子设备中的电源管理单元，如移动电源、无线耳机充电仓、智能手表等。此外，在LED驱动电路、USB PD电源开关、FPGA或处理器核心供电系统中也有广泛应用。其高频响应能力和低驱动损耗也使其成为服务器主板、通信设备电源模块的理想选择之一。
SI2302DDS-T1-E,SZ2302A-S16-TP,DMG2302U
