RF5605TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的 GaAs(砷化镓)异质结双极晶体管(HBT)射频功率晶体管。该器件专为高频、高线性度和高效率的应用而设计,适用于无线基础设施、蜂窝基站、宽带放大器以及其他射频通信系统。RF5605TR13 采用先进的 HBT 工艺制造,提供出色的热稳定性和可靠性,适用于高功率和高频率的工作环境。
类型:GaAs HBT射频功率晶体管
频率范围:DC - 6 GHz
输出功率:25 W(典型值)
增益:18 dB(典型值)
效率:35% @ 2.14 GHz
工作电压:+28 V
输入驻波比(VSWR):< 2.0:1
封装类型:表面贴装(SMT)
封装尺寸:9.7 mm x 6.4 mm x 1.1 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF5605TR13 采用先进的 GaAs HBT 技术,具备出色的线性度和效率,适用于多频段和宽带应用。其高功率密度和宽带匹配设计使其能够在多个频率范围内(包括蜂窝、WiMAX 和 LTE 频段)实现高效放大。该器件具有良好的热管理和可靠性,能够在高温环境下稳定工作,并具备较高的抗失真能力,适用于高保真射频放大器系统。
此外,RF5605TR13 采用紧凑的表面贴装封装(SMT),便于自动化组装和集成到现代射频模块中。其输入和输出端口经过内部匹配优化,可减少外部元件的使用,简化电路设计并降低整体系统成本。该器件还具有较低的互调失真(IMD)和良好的稳定性,适合用于多载波放大应用。
在制造工艺方面,RF5605TR13 的 HBT 结构提供了良好的基极-发射极结控制,从而提高了高频性能和电流驱动能力。这种结构也有助于提高器件的耐用性,使其能够在高功率和高电压条件下长期运行而不会出现明显的性能衰减。
RF5605TR13 主要应用于无线通信基础设施,包括蜂窝基站、WiMAX 系统、宽带放大器、多频段功率放大器以及测试与测量设备。此外,该器件也可用于军事和航空航天领域的射频放大系统,如雷达和通信中继设备。由于其优异的线性度和效率,RF5605TR13 在需要高保真信号放大的场景中表现出色,例如在数字预失真(DPD)系统中作为主功率放大器使用。
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