时间：2025/7/4 19:08:02
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CDR31BX682AMZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该芯片采用了先进的制程技术，在导通电阻和开关性能上表现出色，能够显著提升系统的效率和可靠性。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度的特点，适合高频应用环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
电压等级：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：0.025Ω
栅极电荷：90nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
CDR31BX682AMZPAT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下降低功耗。
2. 高电压耐受能力 (650V)，适用于各种高压应用场景。
3. 快速的开关速度，支持高频操作，减少系统体积和成本。
4. 稳定的温度特性，确保在宽温范围内的可靠运行。
5. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，提高系统的安全性。
6. 封装坚固耐用，散热性能良好，适合工业和汽车级应用。
CDR31BX682AMZPAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS)。
2. 电机驱动和逆变器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电装置。
5. DC-DC 转换器和其他需要高效功率转换的场合。
CDR31BX682AMZPBT, IRFP460, STP80NF75
