类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：400V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：70nC
　　最大功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：D2PAK

LTL42NJRKNN 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其 0.042Ω 的导通电阻在 Vgs=10V 时能够支持较大的负载电流，同时降低发热。
　　该 MOSFET 具有较高的最大漏源电压（400V）和漏极电流（30A），适用于中高功率的开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动应用。
　　此外，LTL42NJRKNN 的 D2PAK 封装具备良好的热性能，能够有效散热，从而提高器件在高功率工作状态下的稳定性和可靠性。
　　该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）值（70nC），有助于提高开关速度，从而降低开关损耗。这使得 LTL42NJRKNN 在高频开关应用中表现出色。
　　由于其表面贴装封装形式，LTL42NJRKNN 非常适合自动化装配流程，提高了生产效率并降低了制造成本。

LTL42NJRKNN 广泛应用于多种电力电子设备和系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机控制电路、功率因数校正（PFC）模块以及电池管理系统。
　　在开关电源中，LTL42NJRKNN 可用于主开关或同步整流器，帮助提高电源转换效率并降低损耗。
　　在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压或降压拓扑结构，适用于工业控制、通信设备和汽车电子系统。
　　此外，LTL42NJRKNN 还可用于电机驱动器和逆变器，提供高效的功率控制解决方案，适用于家电、电动工具和自动化设备。
　　由于其高可靠性和良好的热管理能力，LTL42NJRKNN 也常用于汽车电子系统中的高功率负载开关应用。

FDPF4N40, FQP30N40, IRF740