BFS19,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高频NPN双极型晶体管(BJT),主要用于射频(RF)和高频放大应用。该器件采用TO-92封装,适合用于小信号放大和射频前端设计。其高截止频率(fT)和良好的线性特性使其在通信设备、射频接收器和低噪声放大器中广泛使用。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:TO-92
电流增益(hFE):典型值110-800(根据工作点不同)
截止频率(fT):250MHz
集电极-基极电容(Ccb):7pF(典型值)
噪声系数(NF):3dB(典型值)
BFS19,215 具备优异的高频性能和低噪声特性,适用于高频放大和射频信号处理。其高截止频率(fT)达到250MHz,使其在UHF(超高频)和VHF(甚高频)应用中表现出色。该器件的低噪声系数(典型值为3dB)使其非常适合用于射频接收器前端放大器,以提高信号的信噪比。此外,其TO-92封装便于手工焊接和PCB布局,适合于原型设计和小批量生产。
在电流增益方面,BFS19,215 提供了较宽的hFE范围(110至800),便于根据不同的应用需求选择合适的偏置条件。其集电极-基极电容仅为7pF,有助于减少高频信号的损耗和失真。同时,该晶体管具备良好的稳定性和可靠性,在-65°C至+150°C的温度范围内均可正常工作,适用于各种恶劣环境条件。
此外,BFS19,215 的功耗较低(最大300mW),适合用于电池供电设备和低功耗系统。其紧凑的TO-92封装也有助于节省PCB空间,适用于小型化电子产品设计。
BFS19,215 主要用于射频和高频信号放大电路,如无线通信接收器、FM收音机前端放大器、天线信号增强器和高频振荡器等。其低噪声特性也使其适用于音频前置放大器和传感器信号调理电路。此外,该晶体管还可用于小信号开关和数字逻辑电路中的放大级,适合于需要高频响应和低噪声性能的电子系统设计。
BC547, BF199, 2N3904