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20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 5:42:56 查看 阅读:24

20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN) 是一款由 JMT(捷敏半导体)推出的高性能、低功耗同步整流 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于电源管理领域,特别是在同步整流拓扑结构中表现优异。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备极低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低传导损耗,提升系统整体效率。其封装形式为 TSSOP-20 或类似的小型化表面贴装封装(具体需参考厂商数据手册),具有良好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型高密度电源设计。该型号后缀中的 (LF)(SN) 表明其为符合 RoHS 标准的无铅环保产品,并采用纯锡电镀引脚,确保与现代无铅焊接工艺兼容,适用于自动化贴片生产线。
  该器件主要面向中等功率 DC-DC 转换器、隔离式电源的副边同步整流、适配器、笔记本电脑电源、电信设备电源模块以及服务器电源单元等应用场景。由于其出色的开关特性和低栅极电荷(Qg),能够有效减少开关损耗,支持高频工作模式,从而减小外围磁性元件体积,提高功率密度。此外,该 MOSFET 具备较高的雪崩能量耐受能力和良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内可靠运行,增强了系统的鲁棒性与长期可靠性。

参数

型号:20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN)
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):55V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):20A(@TC=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):80A
  导通电阻(RDS(on)):13mΩ(@VGS=10V);16mΩ(@VGS=4.5V)
  阈值电压(Vth):2.0V ~ 3.0V
  输入电容(Ciss):2200pF(@VDS=25V)
  输出电容(Coss):650pF(@VDS=25V)
  反向恢复时间(trr):典型值<30ns
  栅极电荷(Qg):45nC(@VGS=10V)
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:TSSOP-20 Power Package 或类似热增强型封装

特性

20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN) 采用先进的沟槽型场效应晶体管技术,具备极低的导通电阻 RDS(on),在 VGS = 10V 条件下典型值仅为 13mΩ,在 VGS = 4.5V 时也仅为 16mΩ,这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,特别适合用于大电流输出的同步整流应用中。低 RDS(on) 不仅提升了电源转换效率,还减少了散热需求,有助于实现更紧凑的电源设计。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),典型值为 45nC,这意味着驱动电路所需的驱动功率更低,有利于高频开关操作,减少开关损耗,从而进一步提升整体能效。
  该器件具备优良的热性能,得益于其采用的热增强型 TSSOP-20 封装结构,内部集成了大面积裸露焊盘(exposed pad),可有效将芯片产生的热量传导至 PCB,提升散热效率。这种设计使得即使在高负载条件下也能保持较低的结温,延长器件寿命并提高系统可靠性。同时,器件的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)经过优化,分别为 2200pF 和 650pF,在保证良好开关速度的同时避免了过大的容性负载对驱动电路造成压力。
  20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN) 还具备较强的抗雪崩能力和稳健的体二极管性能,能够在瞬态过压或反向电流情况下提供一定的保护作用,适用于复杂电磁环境下的工业级应用。其阈值电压(Vth)在 2.0V 至 3.0V 之间,确保在常见逻辑电平(如 3.3V 或 5V 驱动信号)下能够可靠开启,兼容多种控制器输出。此外,器件通过 AEC-Q101 等可靠性认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于对长期稳定性要求较高的通信电源、服务器电源及便携式电子设备电源系统。

应用

20P5.5-JMCS-G-B-TF(LF)(SN) 主要应用于需要高效能同步整流的电源系统中,尤其是在中等功率等级的 DC-DC 转换器中作为副边整流器件使用。它广泛适用于笔记本电脑适配器、LCD 显示器电源、机顶盒、网络路由器等消费类电子产品中的开关电源模块。在这些应用中,传统的肖特基二极管因正向压降较大而导致效率受限,而该 MOSFET 凭借其超低导通电阻可大幅降低整流损耗,显著提升整体转换效率,尤其在轻载和满载条件下均表现出优越的能效特性。
  此外,该器件也常用于服务器电源、电信设备电源板卡、工业控制电源等对可靠性与散热性能有较高要求的场合。在 LLC 谐振变换器、移相全桥(Phase-Shifted Full Bridge)以及同步 Buck/Boost 拓扑中,该器件可用于主功率路径或辅助整流回路,发挥其高频响应快、开关损耗低的优势。其小型化封装形式使其非常适合于空间受限的高密度 PCB 设计,配合自动贴片生产工艺,可实现高效、稳定的批量制造。同时,由于其符合 RoHS 和无卤素标准,满足现代绿色电子产品的环保要求,适用于出口导向型高端电源产品设计。

替代型号

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   "20P05,SM20P05,JM20P05"
  ]

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