CDR31BX682AMZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片封装形式为表面贴装类型,适用于高密度电路板设计,同时具备良好的散热性能,以适应各种复杂的工作环境。
型号:CDR31BX682AMZMAT
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
总栅极电荷(Qg):105nC
输入电容(Ciss):4380pF
输出电容(Coss):950pF
反向传输电容(Crss):75pF
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装形式:TO-247-3L
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),从而降低了导通损耗,提高了整体效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力(最大50A),支持大功率应用。
4. 宽工作温度范围(-55°C至+175°C),确保在极端环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 采用先进的封装技术,提升了散热性能,减少了热阻。
7. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级元件。
3. 电动车辆中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 大功率LED驱动电路。
6. 其他需要高效功率管理的应用场景。
IRFP2907, FDP077N06A, IXTH120N06T2