时间：2025/6/3 22:39:52
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CDR31BX682AMZMAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该芯片封装形式为表面贴装类型，适用于高密度电路板设计，同时具备良好的散热性能，以适应各种复杂的工作环境。
型号：CDR31BX682AMZMAT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
总栅极电荷(Qg)：105nC
输入电容(Ciss)：4380pF
输出电容(Coss)：950pF
反向传输电容(Crss)：75pF
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻（2.2mΩ），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力（最大50A），支持大功率应用。
4. 宽工作温度范围（-55°C至+175°C），确保在极端环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 采用先进的封装技术，提升了散热性能，减少了热阻。
7. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率级元件。
3. 电动车辆中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 大功率LED驱动电路。
6. 其他需要高效功率管理的应用场景。
IRFP2907, FDP077N06A, IXTH120N06T2
