04SUR-32S 时间：2025/12/27 15:16:50 阅读：7

04SUR-32S是一款表面贴装型肖特基势垒二极管阵列，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、极性保护电路以及信号整流等场景。该器件采用紧凑的SMA（DO-214AC）封装形式，具备优良的热性能和电气性能，适合在空间受限且对效率要求较高的现代电子设备中使用。04SUR-32S由多个独立的肖特基二极管组成，通常配置为共阴极或共阳极结构，具体取决于制造商的设计规范。其低正向导通电压（VF）特性显著降低了功率损耗，提高了系统整体能效。同时，由于肖特基二极管的多数载流子工作机制，该器件几乎没有反向恢复时间（trr ≈ 0），使其非常适合高频应用环境。
　　该元器件的工作结温范围一般为-55°C至+150°C，满足工业级和部分汽车级应用需求。其封装符合RoHS环保标准，并具有良好的可焊性和耐湿性，适用于自动化贴片生产工艺。04SUR-32S常用于便携式电子设备、通信模块、电源管理单元及嵌入式控制系统中，作为防反接、电压钳位、瞬态抑制或信号整形的关键元件。此外，由于其快速响应能力和低漏电流表现，在数字信号隔离与I/O保护方面也展现出良好性能。

参数

类型：肖特基势垒二极管阵列
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　配置：双二极管，共阴极
　　最大平均整流电流：4A
　　峰值重复反向电压：32V
　　最大直流阻断电压：32V
　　最大正向平均电流：4A
　　正向压降（IF=4A）：≤0.52V
　　非重复峰值浪涌电流：100A
　　反向漏电流（VR=32V, TA=25°C）：≤0.5mA
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间：≤10ns

特性

04SUR-32S的核心优势在于其低正向压降与超快开关速度的结合，这使得它在高效率电源转换系统中表现出色。其正向压降在额定电流下仅为约0.52V，远低于传统硅PN结二极管的0.7V以上水平，从而大幅减少导通损耗，提升电源效率，尤其适用于低压大电流输出的DC-DC变换器中作为续流或整流二极管。由于采用肖特基势垒技术，该器件主要依赖多数载流子导电，几乎不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值小于10ns，有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的SMA封装具有较小的体积（约4.3mm x 6.7mm x 2.2mm），便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热能力，通过底部阴极引脚可实现有效的热传导路径。其额定平均整流电流可达4A，能够满足大多数中功率应用场景的需求。此外，04SUR-32S具备较强的浪涌电流承受能力，非重复峰值浪涌电流可达100A，可在启动或异常工况下提供一定的过载保护能力。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其低漏电流设计（在32V反向电压下不超过0.5mA）减少了静态功耗，提高了待机效率，特别适合电池供电设备。整体上，04SUR-32S凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代高效电源系统中的理想选择之一。

应用

04SUR-32S广泛应用于各类需要高效整流与快速响应的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低电压输出（如3.3V、5V、12V）的AC-DC适配器和DC-DC降压模块中，其低VF特性有助于提高转换效率并降低温升。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源中，该器件常被用于电池充电路径的极性保护和反向电流阻断。
　　此外，04SUR-32S也适用于电源极性反转保护电路，防止因电源接反而损坏后级敏感器件。在分布式电源架构中，可用于OR-ing二极管以实现冗余电源切换。其快速响应能力使其在高速数字信号线的静电放电（ESD）保护和电压钳位应用中也有一定作用，尽管并非专为此类设计，但在低能量瞬态抑制场合仍可胜任。
　　在工业控制与通信设备中，该器件常用于隔离不同电源域之间的电流回路，或作为反馈回路中的整流元件。太阳能充电控制器、LED驱动电源、USB供电模块等低电压直流系统也是其典型应用场景。由于其具备一定的浪涌承受能力，也可用于抑制感性负载关断时产生的反电动势。总体而言，凡是需要低损耗、高效率、快速开关的二极管功能的应用，04SUR-32S均是一个可靠且经济的选择。