CDR31BX562AKZPAT 是一款高性能的双极性晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT),适用于高频放大和开关应用。该器件采用先进的制造工艺,具备卓越的电气性能和可靠性。其封装形式为 SOT-23,这种小型化封装使其非常适合用于空间受限的设计环境。
这款晶体管广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域,可满足多种电路设计需求。
集电极-发射极电压:50V
集电极电流:200mA
功率耗散:350mW
直流电流增益(hFE):100~300
过渡频率(fT):900MHz
存储温度范围:-55℃ to 150℃
工作结温:-55℃ to 150℃
CDR31BX562AKZPAT 的主要特性包括高增益带宽乘积、低噪声系数、出色的线性度和快速开关能力。
其高频性能优异,适合射频 (RF) 放大器和混频器等应用。此外,它还具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够适应恶劣的工作环境。
此晶体管的 SOT-23 封装不仅体积小,而且引脚布局合理,便于焊接和安装,非常适合大规模生产。
由于其高可靠性和一致性,该型号在批量生产和长期使用中表现出色。
CDR31BX562AKZPAT 可用于多种电子电路中,包括但不限于以下应用:
1. 高频信号放大器
2. 射频 (RF) 混频器
3. 调制解调器
4. 开关电路
5. 音频放大器
6. 传感器接口
7. 工业自动化中的信号处理模块
8. 消费类电子产品中的无线通信模块
其高增益和低噪声特性使其成为许多精密电路的理想选择。
CDR31BX562AKZPAT-A, CDR31BX562AKZPAT-B, CDR31BX562AKZPAT-C