时间：2025/7/24 17:02:19
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YFW120N06ASC 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的设计场景。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：3.7mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
YFW120N06ASC 具有极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流承载能力使其能够在高负载条件下稳定运行。此外，其坚固的封装设计和良好的热管理能力，能够有效应对高温环境下的挑战，确保器件长时间可靠工作。
该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，从而降低了开关损耗，并能够在高频应用中保持高效运行。其栅极设计提供了良好的控制特性，确保在各种工作条件下都能实现稳定的导通和关断操作。YFW120N06ASC 还具备优异的雪崩能量耐受能力，进一步增强了其在严苛工况下的可靠性。
YFW120N06ASC 主要用于DC-DC转换器、同步整流、电源管理模块、马达控制器以及汽车电子系统等高功率应用。由于其高效的功率处理能力，该器件在电动汽车、工业自动化设备以及高性能计算系统中也得到了广泛应用。
SiR120N60, IRLB8726, FDP120N60
