时间：2025/5/22 1:58:15
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GA0603H153MBAAT31G 是一款由东芝（Toshiba）生产的沟道型 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等场景。
这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而提高了效率并降低了功耗。其封装形式为 LFPAK88，支持表面贴装技术（SMT），非常适合高密度电路设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（典型值）：78nC
反向恢复时间：18ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：LFPAK88
GA0603H153MBAAT31G 的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.4mΩ。这一特性使其成为高效功率转换的理想选择。
此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，并且具备出色的热性能，能够承受高达 175℃ 的结温。
它还具备强大的抗雪崩能力，增强了在恶劣条件下的可靠性。同时，其 LFPAK88 封装支持卓越的散热性能，进一步提升了整体效率和稳定性。
此功率 MOSFET 支持高频操作，非常适合需要高性能和高效率的应用环境。
GA0603H153MBAAT31G 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动
- 工业自动化设备中的逆变器和控制器
- 高效 DC-DC 转换器
- 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统
由于其高效的功率处理能力和快速开关性能，该器件特别适合需要高效率和小尺寸解决方案的设计。
TPH1700PNH6,
IRLB8748PBF,
IXTH10N50L2,
AO3400
