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GA0603H153MBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/22 1:58:15 查看 阅读:14

GA0603H153MBAAT31G 是一款由东芝(Toshiba)生产的沟道型 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等场景。
  这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而提高了效率并降低了功耗。其封装形式为 LFPAK88,支持表面贴装技术(SMT),非常适合高密度电路设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):1.4mΩ
  栅极电荷(典型值):78nC
  反向恢复时间:18ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:LFPAK88

特性

GA0603H153MBAAT31G 的主要特点是其超低的导通电阻(Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.4mΩ。这一特性使其成为高效功率转换的理想选择。
  此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,并且具备出色的热性能,能够承受高达 175℃ 的结温。
  它还具备强大的抗雪崩能力,增强了在恶劣条件下的可靠性。同时,其 LFPAK88 封装支持卓越的散热性能,进一步提升了整体效率和稳定性。
  此功率 MOSFET 支持高频操作,非常适合需要高性能和高效率的应用环境。

应用

GA0603H153MBAAT31G 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - 电动车辆(EV/HEV)中的电机驱动
  - 工业自动化设备中的逆变器和控制器
  - 高效 DC-DC 转换器
  - 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统
  由于其高效的功率处理能力和快速开关性能,该器件特别适合需要高效率和小尺寸解决方案的设计。

替代型号

TPH1700PNH6,
  IRLB8748PBF,
  IXTH10N50L2,
  AO3400

GA0603H153MBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-