时间：2025/5/22 20:03:15
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CDR31BX272BMZRAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等电力电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，从而能够提高系统效率并降低功耗。
此芯片适用于高电压和高电流的应用场景，并且其封装设计能够有效增强散热性能。
型号：CDR31BX272BMZRAT
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：270mΩ
ID（持续漏极电流）：18A
Qg（栅极电荷）：49nC
EAS（雪崩能量）：1.3J
封装：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
CDR31BX272BMZRAT 具有以下显著特点：
1. 高电压耐受能力，支持高达 650V 的漏源极电压，适合于多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻，仅为 270 毫欧，可以有效减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷（49nC），可减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能量处理能力，能够承受 1.3J 的雪崩能量，确保在异常条件下依然保持可靠运行。
5. 工作温度范围宽广，适应从 -55°C 到 +175°C 的极端环境条件。
6. TO-247-3 封装形式提供了良好的散热性能，便于集成到各类功率电路中。
CDR31BX272BMZRAT 被广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管，用于实现高效稳定的直流变换。
2. 电机驱动：适用于工业控制中的大功率电机驱动电路，提供精确的电流控制。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中用作功率转换的核心元件。
4. UPS 系统：为不间断电源提供可靠的功率切换功能。
5. 工业自动化设备：例如伺服驱动器、机器人控制器等需要高功率密度的场合。
CDR31BX270BMZRAT, CDR31BX275BMZRAT
