时间：2025/7/5 0:17:06
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LN1154B252MR-G 是一款高性能的低噪声放大器 (LNA)，专为射频和微波应用而设计。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，具有出色的增益、低噪声系数以及高线性度特性，非常适合用于蜂窝基站、无线通信系统、点对点无线电等应用。其封装形式为气密封装，能够提供卓越的可靠性和环境适应能力。
这款放大器的工作频率范围宽泛，通常覆盖从数百MHz到几GHz的应用场景，并且内置匹配网络以简化设计集成过程。通过优化的偏置电路设计，LN1154B252MR-G可以在较宽的电源电压范围内稳定工作。
型号：LN1154B252MR-G
类型：低噪声放大器 (LNA)
工艺：GaAs pHEMT
工作频率范围：800 MHz 至 2.7 GHz
增益：16.5 dB（典型值）
噪声系数：0.85 dB（典型值）
输出1dB压缩点：+28 dBm（典型值）
最大输入功率：+30 dBm
电源电压：3.3 V 至 5.0 V
静态电流：约90 mA
封装形式：气密陶瓷封装
1. 高性能射频参数：LN1154B252MR-G 在高频段表现出极低的噪声系数，同时具备较高的增益，这使其成为需要高灵敏度接收系统的理想选择。
2. 宽电源电压范围：支持从3.3V到5.0V的电源电压范围，增强了在不同应用场景下的灵活性。
3. 内置匹配网络：该器件集成了射频输入和输出端口的匹配网络，显著减少了外部元件数量并简化了PCB布局。
4. 稳定性与可靠性：采用气密陶瓷封装技术，保证了在极端温度和湿度条件下的长期稳定性。
5. 高线性度：其高输出1dB压缩点和良好的三阶交调失真性能确保了在强信号环境中的出色表现。
1. 蜂窝基站前端模块
2. 点对点微波通信系统
3. 卫星通信地面站
4. 雷达接收机
5. 无线数据传输设备
6. 测试与测量仪器
7. 其他需要高性能射频放大的场合
