时间：2025/6/23 21:31:07
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CDR31BX222BKZSAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺设计。该芯片适用于多种高电压、大电流的应用场景，例如开关电源、电机驱动器和逆变器等。其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能和电气特性。
型号：CDR31BX222BKZSAT
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压：1200V
最大连续漏极电流：50A
最大栅源电压：±20V
Rds(on)（典型值）：65mΩ
功耗：450W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
CDR31BX222BKZSAT具备低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低功耗并提高效率。其内置的热保护功能可有效防止过热损坏，同时具备优异的短路耐受能力。
此外，该芯片采用了优化的寄生电容设计，从而减少了开关损耗，并且支持高频操作，非常适合对效率和可靠性要求较高的应用环境。
在实际使用中，该器件还表现出极高的稳定性，能够在极端温度条件下正常运行，确保系统的长期可靠性和安全性。
CDR31BX222BKZSAT广泛应用于工业和消费类电子产品中，主要用途包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）
- 太阳能逆变器
- 电动汽车中的电机控制器
- 高效DC-DC转换器
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- 大功率LED驱动器
这些应用均需要高效率、低损耗及可靠的功率管理方案，而CDR31BX222BKZSAT正是满足这些需求的理想选择。
IRFP460, STP120NF75, FDP18N12A
