时间：2025/6/14 10:39:58
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CDR31BP910BFZMAT是一款高压MOSFET芯片，专为需要高耐压、低导通电阻和快速开关速度的应用而设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，能够提供优异的电气性能和可靠性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。
这款器件具有出色的热特性和抗浪涌能力，适合在严苛环境下使用。同时，其封装形式经过优化，可以有效降低寄生电感，提升整体系统效率。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：2.4Ω
栅极阈值电压：4V
功耗：15W
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 高耐压能力，可承受高达900V的工作电压，适用于各种高压环境。
2. 极低的导通电阻（2.4Ω），减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，有助于减小滤波元件体积。
4. 内置ESD保护电路，增强抗静电能力，提高产品可靠性。
5. 小型化封装设计，便于PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料，满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 太阳能逆变器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备中的功率模块
IRF840,
FQP18N90,
STP90NF06
