容量：4GB
　　数据速率：3200Mbps
　　工作电压：1.1V（VDD）/ 1.8V（VDDQ）
　　封装形式：FBGA
　　存储架构：LPDDR4
　　温度范围：-40°C至+85°C
　　组织结构：x32
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.8mm

H9HCNNNBUUMLHR-NLM 采用了先进的低功耗设计技术，使其在高性能运行的同时仍能保持极低的能耗。该芯片支持多种低功耗模式，包括预充电功耗下降（Precharge Power-down）、自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-down），这些功能有助于延长设备的电池寿命。
　　此外，该芯片支持高速数据传输，其数据速率达到3200Mbps，能够满足高端移动设备对内存带宽的高要求。为了提高数据传输的稳定性与可靠性，它还支持伪开漏（POD）驱动器和可调节的ODT（On-Die Termination）功能，有助于减少信号反射和提升信号完整性。
　　H9HCNNNBUUMLHR-NLM 还集成了温度传感器，可以实时监测芯片的温度变化，并根据温度情况调整内存的工作状态，以确保在不同环境下的稳定运行。同时，其小型化的FBGA封装形式（9mm x 13mm）非常适合在空间受限的移动设备中使用，提供了良好的集成度和布局灵活性。
　　该芯片也符合JEDEC标准，保证了与其他LPDDR4兼容系统的互操作性，并且支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，以适应不同的应用场景和功耗需求。

H9HCNNNBUUMLHR-NLM 广泛应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及高性能嵌入式计算平台。由于其高速度、低功耗和小尺寸的特性，它特别适合用于需要大量内存带宽和较长电池续航的应用场景。例如，在智能手机中，该芯片可以为多任务处理、高清视频播放、复杂游戏和AI运算提供强有力的内存支持。在车载系统中，它可用于处理高分辨率地图数据、实时导航以及多路视频流的解码和显示。

H9HQNNNBUUMUBR-NLM, H9HPNNLCAVAR1R-NM