型号：IXGR64N60A3
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：600V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　漏极电流 Id（最大）：64A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.135Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散：300W

IXGR64N60A3 MOSFET 在设计上具备多项优异特性，适用于高性能电源系统。其最大漏源电压可达 600V，能够承受高电压应力，适用于高压电源转换场合。该器件的最大漏极电流为 64A，在高负载条件下仍能保持稳定运行。其导通电阻 Rds(on) 的典型值为 0.135Ω，降低了导通损耗，提高了整体能效。
　　此外，IXGR64N60A3 支持高达 ±20V 的栅源电压，使其在驱动电路设计上具备更高的灵活性。该器件具备良好的热稳定性和过温保护能力，可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作，适用于严苛的工业环境。TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于降低结温，延长器件寿命。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，开关损耗低，适合高频应用。其高可靠性与耐用性使其成为电源管理、逆变器、不间断电源（UPS）和工业自动化系统中的理想选择。

IXGR64N60A3 主要应用于各种高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统。该器件的高耐压和低导通电阻特性，使其特别适用于需要高效率和高稳定性的场合，例如光伏逆变器、电动汽车充电模块以及智能电网设备。其优异的热管理和高频响应能力也使其广泛用于高频开关电源设计中。

IXFH64N60P、IRGPC50K、FGA60N65SMD、SPW60N60S5-12M