时间：2025/6/6 15:33:50
阅读：4
CDR31BP510BFZPAT 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 功率器件，适用于高频、高效能功率转换应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻和开关损耗，非常适合用于电动汽车充电器、太阳能逆变器以及工业电源等场合。
其主要特点是高击穿电压和快速开关性能，能够显著提升系统效率并减少散热需求。
型号：CDR31BP510BFZPAT
封装：TO-247
耐压值：1200V
额定电流：40A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：80ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
CDR31BP510BFZPAT 的核心优势在于采用了先进的 SiC 材料技术，使其具备以下特点：
1. 高击穿电压（1200V），适合高压应用场景；
2. 极低的导通电阻（40mΩ），从而减少了传导损耗；
3. 快速开关能力，降低了开关损耗并支持更高的工作频率；
4. 耐高温能力出色，能够在高达 175℃ 的环境下稳定运行；
5. 具备优异的热性能表现，有助于简化散热设计；
6. 与传统硅基 MOSFET 相比，整体系统效率更高且体积更小。
该器件广泛应用于需要高效率和紧凑设计的电力电子设备中，具体包括：
1. 新能源汽车车载充电器（OBC）及 DC-DC 转换器；
2. 太阳能光伏逆变器中的功率转换模块；
3. 工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统；
4. 高频 DC-AC 和 AC-DC 变换电路；
5. 高功率密度服务器和通信电源。
由于其在高频和高压条件下的卓越性能，CDR31BP510BFZPAT 成为现代高效能功率转换系统的理想选择。
CDR31BP510BFZPATM, CDR31BP510BFZPATL
