HMF212B7223MGHT 是一款由 Hitachi 生产的高可靠性闪存存储芯片,主要用于工业和汽车领域。该芯片采用多层堆叠技术以提高数据密度,支持大容量数据存储,并具备低功耗、高速读写等特性。其封装形式为 BGA,适合在紧凑型设计中使用。
类型:NAND Flash
容量:256GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装:BGA
I/O 排数:72-ball
工作温度范围:-40℃ 至 +105℃
数据保存时间:10 年
擦写寿命:3000 次
HMF212B7223MGHT 使用了先进的 TLC(Triple-Level Cell)技术,在单个单元中存储三个比特的数据,从而实现更高的存储密度。它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,能够提供高达 400MT/s 的传输速率。
此外,这款芯片内置 ECC(Error Correction Code)引擎,可自动检测并修正数据错误,确保数据完整性。其宽泛的工作温度范围使其非常适合在极端环境下使用,例如汽车电子、工业控制以及网络通信设备。
为了降低功耗,HMF212B7223MGHT 在待机模式下具有极低的能耗表现,并且可以通过动态调整时钟频率进一步优化能效比。
HMF212B7223MGHT 被广泛应用于需要大容量存储和高可靠性的场景,包括但不限于以下领域:
1. 汽车信息娱乐系统
2. ADAS(高级驾驶辅助系统)
3. 工业自动化控制器
4. 网络路由器与交换机
5. 嵌入式计算平台
6. 医疗成像设备
由于其出色的性能和耐用性,这款芯片成为许多高端应用的理想选择。
KM29F2G08AAM-BCTJ, MX30UF2G18AJ1-TI