时间：2025/5/24 22:06:21
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CDR31BP470BKZSAT是一种高功率、高压MOSFET器件，主要应用于需要高耐压和大电流能力的场景。该型号属于东芝（Toshiba）的半导体产品系列，采用TO-247封装形式，具有出色的开关性能和低导通电阻特性。这种MOSFET通常用于电力转换设备、电机驱动器、逆变器以及工业电源系统中。
该芯片的工作电压高达1200V，能够承受较大的漏源极电压，同时其导通电阻相对较低，可有效降低功率损耗并提高效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：85nC
输入电容：2500pF
功耗：500W
工作温度范围：-55℃至175℃
CDR31BP470BKZSAT采用了先进的硅工艺技术制造，具备以下显著特点：
1. 高电压处理能力，适合各种高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，减少能量损耗，提升整体效率。
3. 良好的热稳定性，即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
4. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
5. 强大的过流保护功能，增强器件可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. TO-247封装形式便于散热和安装，适用于多种功率电子系统。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如服务器电源和通信电源等。
2. 工业电机驱动控制，包括变频器和伺服驱动器。
3. 新能源发电系统中的逆变器，例如太阳能逆变器。
4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的牵引逆变器。
5. 高效DC-DC转换器和其他电力转换装置。
6. 各种需要高压大电流切换的工业设备和家电产品。
CDR31BP470BKZSAX, CDR31BP470BKZSAJ
