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CDR31BP470BKZSAT 发布时间 时间:2025/5/24 22:06:21 查看 阅读:14

CDR31BP470BKZSAT是一种高功率、高压MOSFET器件,主要应用于需要高耐压和大电流能力的场景。该型号属于东芝(Toshiba)的半导体产品系列,采用TO-247封装形式,具有出色的开关性能和低导通电阻特性。这种MOSFET通常用于电力转换设备、电机驱动器、逆变器以及工业电源系统中。
  该芯片的工作电压高达1200V,能够承受较大的漏源极电压,同时其导通电阻相对较低,可有效降低功率损耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:47A
  导通电阻:1.6Ω
  栅极电荷:85nC
  输入电容:2500pF
  功耗:500W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

CDR31BP470BKZSAT采用了先进的硅工艺技术制造,具备以下显著特点:
  1. 高电压处理能力,适合各种高压应用环境。
  2. 低导通电阻设计,减少能量损耗,提升整体效率。
  3. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
  4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  5. 强大的过流保护功能,增强器件可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  7. TO-247封装形式便于散热和安装,适用于多种功率电子系统。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如服务器电源和通信电源等。
  2. 工业电机驱动控制,包括变频器和伺服驱动器。
  3. 新能源发电系统中的逆变器,例如太阳能逆变器。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器。
  5. 高效DC-DC转换器和其他电力转换装置。
  6. 各种需要高压大电流切换的工业设备和家电产品。

替代型号

CDR31BP470BKZSAX, CDR31BP470BKZSAJ

CDR31BP470BKZSAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容47 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-